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MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
PJT138K_R1_00001
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：360mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：236mW 类型：双N沟道
- PANJIT(强茂)
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PJT138K_R1_00001技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）360mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）236mW
类型双N沟道
PJT138K_R1_00001全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | PJT138K_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：360mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：236mW 类型：双N沟道 | 10+:￥0.215266
100+:￥0.159211
300+:￥0.148915
1000+:￥0.138619
5000+:￥0.134044
10000+:￥0.131783
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天天IC网提供了由PANJIT(强茂)生产的PJT138K_R1_00001产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的PJT138K_R1_00001的价格信息，PJT138K_R1_00001参考价格:10+:￥0.215266，还有技术参数规格信息、PJT138K_R1_00001数据手册可供查阅。PJT138K_R1_00001功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：360mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：236mW 类型：双N沟道。你可以查阅PJT138K_R1_00001中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。