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NTMFS5C406NLT1G
NTMFS5C406NLT1G参考图

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NTMFS5C406NLT1G

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NTMFS5C406NLT1G
技术参数规格信息

包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)53A(Ta),362A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)0.7 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 280µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)149nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9400pF @ 20V

FET 功能-

功率耗散(最大值)3.9W(Ta), 179W(Tc)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线

NTMFS5C406NLT1G全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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NTMFS5C406NLT1GON(安森美)预售新品1+:¥25.75
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NTMFS5C406NLT1G深圳市科芯半导体有限公司深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B
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NTMFS5C406NLT1G海南炬炫欣火商贸有限公司苏州市高新区培源路2号微系统园1号楼107室-A551
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NTMFS5C406NLT1G深圳市佳威星科技有限公司深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C
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NTMFS5C406NLT1G深圳市鑫智腾创科技有限公司深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8
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NTMFS5C406NLT1G深圳市博浩通科技有限公司华强北宝华大厦A座808
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