包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)53A(Ta),362A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)0.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 280µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)149nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9400pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.9W(Ta), 179W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线