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MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
NCE60P25K
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：P沟道
- 无锡新洁能
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NCE60P25K技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）90W
类型P沟道
NCE60P25K全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | NCE60P25K | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:￥1.7613
10+:￥1.3015
30+:￥1.217
100+:￥1.1326
500+:￥1.095
1000+:￥1.0765
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立创商城 | NCE60P25K | 无锡新洁能 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：P沟道 | 1+:￥1.5501
10+:￥1.2152
30+:￥1.1537
100+:￥1.0922
500+:￥1.0649
1000+:￥1.0514
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天天IC网提供了由无锡新洁能生产的NCE60P25K产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的NCE60P25K的价格信息，NCE60P25K参考价格:1+:￥1.7613，还有技术参数规格信息、NCE60P25K数据手册可供查阅。NCE60P25K功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：P沟道。你可以查阅NCE60P25K中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。