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MOS(场效应管)
图片仅供参考, 请参阅产品规格
LNC5N50
- 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
- LONTEN(龙腾半导体)
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LNC5N50技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)
类型N沟道
LNC5N50全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | LNC5N50 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.3212 10+:¥0.9713 30+:¥0.9071 100+:¥0.8428 500+:¥0.8142 1000+:¥0.8001
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天天IC网提供了由LONTEN(龙腾半导体)生产的LNC5N50产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的LNC5N50的价格信息,LNC5N50参考价格:1+:¥1.3212,还有技术参数规格信息、LNC5N50数据手册可供查阅。LNC5N50功能描述为:连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道。你可以查阅LNC5N50中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。