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HUFA76413P3
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HUFA76413P3

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HUFA76413P3
技术参数规格信息

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):645pF @ 25V

功率耗散(最大值):60W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):49 毫欧 @ 23A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

HUFA76413P3全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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HUFA76413P3Fairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品1+:¥4.48
HUFA76413P3国内代理分销商
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HUFA76413P3深圳市科芯半导体有限公司深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B
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吴先生,刘先生
HUFA76413P3深圳市安富世纪电子有限公司深圳市福田区中航路都会轩2406
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杨丹妮
HUFA76413P3深圳市坤融电子有限公司航都大厦11FG
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肖瑶,树平
HUFA76413P3深圳市捷立辉科技有限公司华强北路赛格广场大厦44楼4405A
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花花,张先生
HUFA76413P3深圳市毅创弘电子科技有限公司深圳市福田区华强北1016号宝华大厦A809
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可乔
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