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HUFA76413D3S
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HUFA76413D3S

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HUFA76413D3S
技术参数规格信息

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):645pF @ 25V

功率耗散(最大值):60W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):49 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

HUFA76413D3S全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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HUFA76413D3SFairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品1+:¥1.63
25+:¥1.62
50+:¥1.6
100+:¥1.59
300+:¥1.56
500+:¥1.55
1000+:¥1.54
5000+:¥1.53
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HUFA76413D3SON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAObsolete
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HUFA76413D3STON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAObsolete
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HUFA76413D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA$0.28000
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HUFA76413D3STFairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品1+:¥1.72
25+:¥1.7
50+:¥1.68
100+:¥1.6701
300+:¥1.64
500+:¥1.62
1000+:¥1.6
5000+:¥1.6
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HUFA76413D3SFairchild Semiconductor CorporationN/A500 : $0.26
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HUFA76413D3S深圳市赛美科科技有限公司广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
HUFA76413D3S深圳市永懿科技有限公司深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路154号上步工业区19栋上步工业区305栋401(4C02)
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谢小姐
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肖瑶,树平
HUFA76413D3S深圳市瑞浩芯科技有限公司深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室
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付小姐
HUFA76413D3S深圳市科芯半导体有限公司深圳市福田区华强北街道赛格广场5111B
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吴先生,刘先生
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