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MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
HSCC8211
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）
- HUASHUO(华朔)
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HSCC8211技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻13mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.56W
类型双N沟道（共漏）
HSCC8211全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HSCC8211 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏） | 1+:￥0.7863
10+:￥0.5789
30+:￥0.5408
100+:￥0.5027
500+:￥0.4858
1000+:￥0.4774
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天天IC网提供了由HUASHUO(华朔)生产的HSCC8211产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的HSCC8211的价格信息，HSCC8211参考价格:1+:￥0.7863，还有技术参数规格信息、HSCC8211数据手册可供查阅。HSCC8211功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）。你可以查阅HSCC8211中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。