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MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
HSCB3010
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
- HUASHUO(华朔)
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HSCB3010技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）6.2W
类型N沟道
HSCB3010全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HSCB3010 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道 | 5+:￥0.663106
50+:￥0.488176
150+:￥0.456046
500+:￥0.423916
2500+:￥0.409636
5000+:￥0.40258
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天天IC网提供了由HUASHUO(华朔)生产的HSCB3010产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的HSCB3010的价格信息，HSCB3010参考价格:5+:￥0.663106，还有技术参数规格信息、HSCB3010数据手册可供查阅。HSCB3010功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道。你可以查阅HSCB3010中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。