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MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
HSCB2307
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道
- HUASHUO(华朔)
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HSCB2307技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.2W
类型P沟道
HSCB2307全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HSCB2307 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道 | 5+:￥0.606268
50+:￥0.446332
150+:￥0.416956
500+:￥0.38758
2500+:￥0.374524
5000+:￥0.368073
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天天IC网提供了由HUASHUO(华朔)生产的HSCB2307产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的HSCB2307的价格信息，HSCB2307参考价格:5+:￥0.606268，还有技术参数规格信息、HSCB2307数据手册可供查阅。HSCB2307功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：P沟道。你可以查阅HSCB2307中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。