- 当前位置:
- 首页
- >
- HP60N75全球分销商价格及代理商
MOS(场效应管)
图片仅供参考， 请参阅产品规格
HP60N75
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：70V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
- HL(豪林)
- HP60N75 PDF资料
购买、咨询产品请提交询价信息
HP60N75技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）70V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）120W(Tc)
类型N沟道
HP60N75全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HP60N75 | HL(豪林) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：70V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.7294
10+:￥1.3046
30+:￥1.2266
100+:￥1.1486
500+:￥1.1139
1000+:￥1.0967
|
天天IC网提供了由HL(豪林)生产的HP60N75产品全球分销商和国内代理商分销商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的HP60N75的价格信息，HP60N75参考价格:1+:￥1.7294，还有技术参数规格信息、HP60N75数据手册可供查阅。HP60N75功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：70V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道。你可以查阅HP60N75中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。