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MOS(场效应管)
图片仅供参考, 请参阅产品规格
HP60N75
- 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
- HL(豪林)
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HP60N75技术参数规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)70V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)
类型N沟道
HP60N75全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HP60N75 | HL(豪林) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.7294 10+:¥1.3046 30+:¥1.2266 100+:¥1.1486 500+:¥1.1139 1000+:¥1.0967
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天天IC网提供了由HL(豪林)生产的HP60N75产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的HP60N75的价格信息,HP60N75参考价格:1+:¥1.7294,还有技术参数规格信息、HP60N75数据手册可供查阅。HP60N75功能描述为:连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道。你可以查阅HP60N75中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。