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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BLA1011-2参考图

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BLA1011-2

  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-MICP
  • NXP Semiconductors
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BLA1011-2
技术参数规格信息

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:2.2 A

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 15 V

增益:16 dB

输出功率:2 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-538A

封装:Tube

最小工作温度:- 65 C

工作频率:1.03 GHz to 1.09 GHz

Pd-功率耗散:10 W

工厂包装数量:20

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

零件号别名:BLA1011-2,112

BLA1011-2全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
天天IC网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
BLA1011-2RS COMPONENTS UKBLA1011-200R; 112 N-channel MOSFET Transistor; 2.2 A; 75 V; 3-Pin CDIP-SMD1:$551.50
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Arrow(艾睿)
BLA1011-200R,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品60+:¥2403.54
120+:¥2329.
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Digi-Key 得捷电子
BLA1011-2Ampleon USA Inc.OXIDE SEMICONDUCTOR FET$73.84000
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Digi-Key 得捷电子
BLA1011-2,112Ampleon USA Inc.RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538AObsolete
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BLA1011-2,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥435.12
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Digi-Key 得捷电子
BLA1011-200,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥2424.01
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BLA1011-200R,112Ampleon USA Inc.RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502AObsolete
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Digi-Key 得捷电子
BLA1011-200R,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品60+:¥2403.54
120+:¥2329.6301
BLA1011-2国内代理分销商
型号代理商/分销商地址联系电话联系人在线联系
BLA1011-2深圳市安富世纪电子有限公司深圳市福田区中航路都会轩2406
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杨丹妮
BLA1011-2深圳市赛美科科技有限公司广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
BLA1011-2深圳诚思涵科技有限公司深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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曾小姐
BLA1011-2深圳市华康联电子科技有限公司深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A
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廖S
BLA1011-2集好芯城深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼
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陈妍
天天IC网提供了由NXP Semiconductors生产的BLA1011-2产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的BLA1011-2的价格信息,BLA1011-2参考价格:1:$551.50,还有技术参数规格信息、BLA1011-2数据手册可供查阅。BLA1011-2功能描述为: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-MICP 。你可以查阅BLA1011-2中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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