制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
商标:NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流:2.2 A
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 15 V
增益:16 dB
输出功率:2 W
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-538A
封装:Tube
最小工作温度:- 65 C
工作频率:1.03 GHz to 1.09 GHz
Pd-功率耗散:10 W
工厂包装数量:20
类型:RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
零件号别名:BLA1011-2,112