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射频(RF)双极晶体管
BFP 740 H6327参考图

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BFP 740 H6327

  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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BFP 740 H6327
技术参数规格信息

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

系列:BFP740

晶体管类型:Bipolar

技术:SiGe

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:160

集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V

发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V

集电极连续电流:30 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-343

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:42 GHz

类型:RF Silicon Germanium

商标:Infineon Technologies

Pd-功率耗散:160 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:BFP740H6327XTSA1 BFP74H6327XT SP000750414

单位重量:1.870 mg

BFP 740 H6327全球分销商及价格
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BFP 740 H6327InfineonRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR3000+:¥2.43
6000+:¥2.27
15000+:¥2.1799
30000+:¥2.1
75000+:¥2.07
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100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
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