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APT200GT60JR
- IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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APT200GT60JR技术参数规格信息
制造商:Microchip
产品种类:IGBT 模块
RoHS:是
产品:IGBT Silicon Carbide Modules
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:2 V
在25 C的连续集电极电流:195 A
栅极—射极漏泄电流:300 nA
Pd-功率耗散:500 W
封装 / 箱体:ISOTOP-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
封装:Tube
商标:Microchip / Microsemi
安装风格:SMD/SMT
栅极/发射极最大电压:30 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:1
子类别:IGBTs
天天IC网提供了由Microsemi生产的APT200GT60JR产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的APT200GT60JR的价格信息,APT200GT60JR参考价格:499 : $27.6642,还有技术参数规格信息、APT200GT60JR数据手册可供查阅。APT200GT60JR功能描述为:IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single。你可以查阅APT200GT60JR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。