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IGBT 模块
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APT200GT60JR

  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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APT200GT60JR
技术参数规格信息

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Carbide Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

在25 C的连续集电极电流:195 A

栅极—射极漏泄电流:300 nA

Pd-功率耗散:500 W

封装 / 箱体:ISOTOP-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:30 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

APT200GT60JR全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Avnet Express
APT200GT60JRMicrosemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube499 : $27.6642
天天IC网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
APT200GT60JRMicrosemi CorporationIGBT 600V 195A ISOTOP5 : $39.91
天天IC网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
APT200GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 195A 500W SOT227$34.85000
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Mouser 贸泽电子
APT200GT60JRMicrosemiIGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single1:¥300.6704
2:¥292.4553
5:¥284.3871
10:¥276.2398
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NexGen Digital
APT200GT60JRMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single ISOTOP
RoHS : Compliant
$24.3225
APT200GT60JR国内代理分销商
型号代理商/分销商地址联系电话联系人在线联系
APT200GT60JR深圳市亿鸿丰电子科技有限公司深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210(华强北办事处)
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APT200GT60JR深圳市腾迅辉电子科技有限公司华强北路赛格广场44楼4405B室
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APT200GT60JR深圳市亿鸿丰电子科技有限公司广东省深圳市龙华区福城街道澳桂路11号
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销售总监王小姐
APT200GT60JR柒号芯城电子商务(深圳)有限公司深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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APT200GT60JR奋钧智能(深圳)科技有限公司深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD一期A座1306
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王小姐
天天IC网提供了由Microsemi生产的APT200GT60JR产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的APT200GT60JR的价格信息,APT200GT60JR参考价格:499 : $27.6642,还有技术参数规格信息、APT200GT60JR数据手册可供查阅。APT200GT60JR功能描述为:IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single。你可以查阅APT200GT60JR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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