FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):300nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9670pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
功率耗散(最大值):545W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):530 毫欧 @ 14A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
供应商器件封装:ISOTOP®
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs