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APT17N80SC3G
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APT17N80SC3G

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APT17N80SC3G
技术参数规格信息

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):90nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2250pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):208W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):290 毫欧 @ 11A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D3Pak

封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

APT17N80SC3G全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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APT17N80SC3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 17A D3PAKObsolete
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APT17N80SC3GAmerican Microsemiconductor, Inc.FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品价格未公开
APT17N80SC3G国内代理分销商
型号代理商/分销商地址联系电话联系人在线联系
APT17N80SC3G深圳市坤融电子有限公司航都大厦11FG
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APT17N80SC3G深圳市毅创弘电子科技有限公司深圳市福田区华强北1016号宝华大厦A809
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可乔
APT17N80SC3G深圳市腾迅辉电子科技有限公司华强北路赛格广场44楼4405B室
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文燕
APT17N80SC3G深圳市八零友创科技有限公司深圳市福田区华强北赛格广场26楼2607
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李先生
APT17N80SC3G深圳市言叶科技有限公司深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-2
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刘新
天天IC网提供了由Microsemi生产的APT17N80SC3G产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的APT17N80SC3G的价格信息,APT17N80SC3G参考价格:Obsolete,还有技术参数规格信息、APT17N80SC3G数据手册可供查阅。APT17N80SC3G功能描述为:。你可以查阅APT17N80SC3G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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