数据列表:APT15GP60BDQ1
标准包装:30
类别:分立半导体产品
家庭:IGBT - 单路
系列:POWER MOS 7®
包装:管件
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):56A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A
功率 - 最大值:250W
开关能量:130µJ(开),120µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:55nC
25°C 时 Td(开/关)值:8ns/29ns
测试条件:400V,15A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247 [B]
其它名称:APT15GP60BDQ1GMPAPT15GP60BDQ1GMP-ND