系列:AOTF
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1038pF @ 100V
Vgs(最大值):±30V
功率耗散(最大值):37.8W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):199 毫欧 @ 10A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3整包
封装形式Package:TO-220F
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:600V
连续漏极电流ID:20A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs