系列:AOD
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):46nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2445pF @ 25V
Vgs(最大值):±25V
功率耗散(最大值):2.3W(Ta),100W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
封装形式Package:DPAK
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:105V
连续漏极电流ID:40A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs