FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：390pF @ 50V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 5A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs