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AOD4185L_003
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AOD4185L_003

  • Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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AOD4185L_003
技术参数规格信息

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.6nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2550pF @ 20V

功率耗散(最大值):62.5W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

AOD4185L_003全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
AOD4185L_003Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252Obsolete
AOD4185L_003国内代理分销商
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AOD4185L_003深圳市恒佳微电子有限公司华强北路上步工业区501栋11楼1109室
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AOD4185L_003深圳市永拓丰科技有限公司振兴路华康大厦1栋402室
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AOD4185L_003深圳市研芯世纪科技有限公司深圳市华强北街道深纺C座2H66
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AOD4185L_003深圳市星宇佳科技有限公司深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510
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AOD4185L_003深圳市薪火未来科技有限公司南山海岸大厦东座4楼403
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